一種在原料氧化情況下制備單一相高錳硅薄膜的工藝方法

一、成果基本信息

二、成果簡介

    本發(fā)明公開了一種在原料氧化情況下制備單一相高錳硅薄膜的工藝方法：以含有MnO的Mn靶材作為原料，在Si襯底上通過磁控濺射的方法制備薄膜，構成“Si襯底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三層結構樣品，進而在真空條件下高溫退火?；谠摴に囖k法，通過控制“Si襯底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三層結構中的Si薄膜中間層濺射時間，可以完全消除掉本來含量占比很大的MnO，獲得單一相的高錳硅薄膜材料。

三、成果轉化預期：

可顯著降低獲得高錳硅薄膜對原料、儲存及工藝條件的要求，使得高錳硅薄膜的制備更為簡單，產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)成本降低，生產(chǎn)效率得到提高。

特別聲明

1.本公告僅對成果進行推介，接受意向方咨詢與洽談，以上介紹中的內(nèi)容僅供參考。

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項目聯(lián)系人 ：趙經(jīng)理  

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